To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/8760

Gallium-Indium-Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors: Influence of the Source/Drain Material
Barquinha, Pedro M. C.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Gonçalves, Gonçalo; Pereira, Luís M. N.; Martins, Rodrigo F. P.; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Fortunato, Elvira M. C.
Universitat de Barcelona
2010-05-04
Espectrometria de masses
Semiconductors amorfs
Annealing
Secondary ion mass spectroscopy
Thin film transistors
Time of flight
Mass spectrometers
(c) IEEE, 2008
Article
IEEE
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Jimenez, Ismael; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Diéguez Barrientos, Àngel; Romano Rodríguez, Alberto; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Westwood, David I.; Woolf, D. A.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Ruterana, Pierre; Loubradou, Marc; Bonnet, Roland
Roura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.
 

Coordination

 

Supporters