To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/24722

Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy
Westwood, David I.; Woolf, D. A.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Universitat de Barcelona
2012-05-02
Cristal·lografia
Nanotecnologia
Crystallography
Nanotechnology
(c) American Institute of Physics, 1993
Article
American Institute of Physics
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Roura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.
Jimenez, Ismael; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Roura Grabulosa, Pere; Vilà Arbonés, Anna; Bosch, J.; López-de Miguel, Manel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan R.; Westwood, D. I.
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Ruterana, Pierre; Loubradou, Marc; Bonnet, Roland
Cerdà Belmonte, Judith; Cirera Hernández, Albert; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Díaz Delgado, Raül; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
 

Coordination

 

Supporters